Emolevy Gigabyte H410M H V2 emolevy Intel H410 LGA 1200 micro ATX

DDR4 SDRAM (double-data-rate four synchronous dynamic random access memory) on neljännen sukupolven sisäinen RAM, joka on kehitetty aiemmista DDR-DRAM-versioista. DDR4-tyyppisiä mainoksia alettiin näyttää syksyllä 2014. DDR3:n aiempi versio julkaistiin vuonna 2007. Seuraavan DDR5:n odotetaan ilmestyvän vuonna 2019.

DDR4-muisti Gigabyte H410M H V2 emolevy Intel H410 LGA 1200 micro ATX ei ole yhteensopiva minkään aiemman DDR-tyyppisen muistin kanssa erilaisten signaalijännitteiden, fyysisten liitäntöjen ja muiden tekijöiden vuoksi.

Miksi valita DDR4 DDR3:n sijaan?

Yhdelle DDR3:lle mahtuu 512 MB - 8 Gt muistikortti. DDR4:lle mahtuu 4 - 16 Gt. Koska isommissa tietokonekorteissa on usein rajoitettu määrä muistipaikkoja, tämä voi olla tärkeä kriteeri muistityypin valinnassa.

Tiedonsiirtonopeus on myös suurempi DDR4-muistilla. DDR3 on 800 Mbps - 2133 Mbps. DDR4 - 1600 - 3200 Mbps. DDR3-muistin syöttöjännite on 1,5 V, DDR4:n jännite on pienempi - 1,2 V.

DDR3-korteissa/moduuleissa on 240 nastaa ja DDR4:ssä 288 nastaa. DDR3- ja DDR4-DIMM-moduulit ovat 5,3 tuumaa (133,35 mm) pitkiä, mutta DDR4-liittimet ovat vähemmän yleisiä (0,85 mm) kuin DDR4 (1 mm).

Verkkokaupassa käytetyt tuotekuvat ovat havainnollistavia ja voivat poiketa tuotteesta.