Hei, kuinka voimme auttaa?

Parameter-Centric Scaled FET Devices: Physics Based Perspectives and Attributes, Parameter-Centric Scaled FET Devices: Physics Based Perspectives and Attributes

0.0 (0)
Lisätiedot:
Tekijä: Nabil Shovon Ashraf
Sivujen määrä: 152
Julkaisuvuosi: 2025
Tuotekoodi: 103195555
Vain sovelluksessa HobbyHall PLUS -jäsenille! Kerrytä Hobby Hall raha tuplana*!

HH PLUS hinta

5291

Normaalihinta

7558
Myyjä:
Kuukausiraha ®  alkaen 800 /kk

Postin pakettiautomaatti

7. lokakuuta

595

Kotiinkuljetus

7. lokakuuta

1295

Postin noutopiste

7. lokakuuta

1395

Toimitusajat ovat arvioita. Tarkka toimituspäivä näytetään postinumeron syöttämisen jälkeen tai tilausvahvistuksessa.

Postin pakettiautomaatti

7. lokakuuta

595

Postin noutopiste

7. lokakuuta

1395

Kotiinkuljetus

7. lokakuuta

1395

Toimitusajat ovat arvioita. Tarkka toimituspäivä näytetään postinumeron syöttämisen jälkeen tai tilausvahvistuksessa.

Myyjä:
  • 100% asiakkaista suosittelee tätä myyjää.

Tuotteen kuvaus: Parameter-Centric Scaled FET Devices: Physics Based Perspectives and Attributes

Parameters that determine the performance of silicon-based Field Effect Transistors (FET) devices in the presence of degenerate doping, often are not modeled properly and so require precise analysis to improve modeling accuracy. The book is focused on the extraction of parameters for silicon-based FET models that critically determine the FET performance at room temperature as well as at very low temperatures. Emphasize is put on analysis that is based on the device physics, especially at low (cryogenic) temperatures. Performance of gate-all-around (GAA) nanowire FETs, and stacked nanosheet complementary FETs (C-FET) are also discussed.In addition, this book includes:·                Reviews methods for accurate parameter extraction for model development of silicon-based FET at low temperatures·                Analyzes the performance of silicon-based Field Effect Transistors (FET) devices in the presence of degenerate doping·                The book will be useful for researchers in academia and industry and for graduate students in electrical engineering

Yleiset tuotetiedot: Parameter-Centric Scaled FET Devices: Physics Based Perspectives and Attributes

Tuotekoodi: 103195555
Kategoria: Talouskirjat
Pakkausten määrä: 1 kpl
Pakkauksen koko ja paino (1): 0,246 x 0,173 x 0,014 m, 0,47 kg
Myyjän kotimaa: Liettua
Kustantamo: Springer Nature Switzerland
Kirjan kieli: Englanti
Kannen tyyppi: Kovaa
Muoto: Perinteinen kirja
Tyyppi: Ei ole määritelty
Myyjä: Patogupirkti
Tekijä: Nabil Shovon Ashraf
Sivujen määrä: 152
Julkaisuvuosi: 2025

Tuotteiden kuvat ovat havainnollistavia. Tuotekuvauksen videolinkit ovat vain tiedoksi, joten niiden sisältämät tiedot voivat poiketa itse tuotteesta. Alkuperäisten tuotteiden värit, huomautukset, parametrit, mitat, koot, ominaisuudet ja/tai muut ominaisuudet voivat poiketa niiden todellisesta ulkonäöstä, joten katso tuotetiedot tuotekuvauksista.

Muita kiinnostavia tuotteita
Kumppanitarjoukset
Sponsoroitu

Arviot ja arvostelut (0)

Parameter-Centric Scaled FET Devices: Physics Based Perspectives and Attributes
Ole ensimmäinen, joka jättää arvostelun!
Tätä tuotetta voivat arvioida vain Hobbyhall.fi rekisteröityneet asiakkaat.
Kirjoita arvostelu

Suosittelemme ostamaan yhdessä Parameter-Centric Scaled FET Devices: Physics Based Perspectives and Attributes kanssa


Parhaat tuotteet myyjältä Patogupirkti